Цитата:
Сообщение от Виталий Нам
Цитата:
Сообщение от хожиакбар
За счет увеличения частоты 'несущей' кристалл и греется в зависимости от ее увеличения .
|
согласно Вашей теории,текущие процессоры с частотой 4ГГц должны потреблять больше чем P4 3GHz(TDP 84W 90nm)... а по сути потребление у Core I7 4790 4GHz -- (88W 22nm)
но в реале,нагрев находится в прямой зависимости от размера транзистора и емкости затвора.
в итоге 1нм транзисторы будут потреблять на пару порядков меньше чем 90нм.
|
В каждый момент такта с сигнала от шины каждый пин имеет или 0 или 1.
Нагревание идет за счет ' дрожания' решетки. А токи такой частоты текут по поверхности проводников фактически.