Моё меню Общее меню Пользователи Правила форума Все прочитано
Вернуться   uForum.uz > ИКТ и телеком > IT-индустрия
Знаете ли Вы, что ...
...до того как открыть новую тему, стоит использовать поиск: такая тема уже может существовать.
<< Предыдущий совет - Случайный совет - Следующий совет >>

IT-индустрия ... hardware & software. Новые продукты и предложения IT-индустрии, преимущества и недостатки, применение в "локальном контексте"


Ответить

 
Опции темы Опции просмотра
Старый 27.07.2016 19:42   #11  
Аватар для Виталий Нам
Оффлайн
Сообщений: 1,478
+ 1,493  818/449
– 272  97/67

Uzbekistan
Цитата:
Сообщение от хожиакбар Посмотреть сообщение
За счет увеличения частоты 'несущей' кристалл и греется в зависимости от ее увеличения .
согласно Вашей теории,текущие процессоры с частотой 4ГГц должны потреблять больше чем P4 3GHz(TDP 84W 90nm)... а по сути потребление у Core I7 4790 4GHz -- (88W 22nm)

но в реале,нагрев находится в прямой зависимости от размера транзистора и емкости затвора.
в итоге 1нм транзисторы будут потреблять на пару порядков меньше чем 90нм.

Цитата:
Сообщение от Alihan Akhmadzhonov Посмотреть сообщение
Если в 1965-м для примера в процессоре был 1 (один транзистор)
а пример плохой,если точно известно сколько транзисторов было в 4004
Количество транзисторов: 2250

а вообще закон Мура уже устарел,например Модели Ivy Bridge обладают примерно на 405 млн. транзисторов больше, чем Sandy Bridge.

при 2.5млрд в предыдущем поколение,прирост составил только 20%...
Ответить 
Старый 27.07.2016 21:16   #12  
Аватар для хожиакбар
Оффлайн
магазин
Сообщений: 544
+ 95  98/80
– 0  14/13

Uzbekistan
Цитата:
Сообщение от Виталий Нам Посмотреть сообщение
Цитата:
Сообщение от хожиакбар Посмотреть сообщение
За счет увеличения частоты 'несущей' кристалл и греется в зависимости от ее увеличения .
согласно Вашей теории,текущие процессоры с частотой 4ГГц должны потреблять больше чем P4 3GHz(TDP 84W 90nm)... а по сути потребление у Core I7 4790 4GHz -- (88W 22nm)

но в реале,нагрев находится в прямой зависимости от размера транзистора и емкости затвора.
в итоге 1нм транзисторы будут потреблять на пару порядков меньше чем 90нм.
В каждый момент такта с сигнала от шины каждый пин имеет или 0 или 1.
Нагревание идет за счет ' дрожания' решетки. А токи такой частоты текут по поверхности проводников фактически.

Последний раз редактировалось хожиакбар; 27.07.2016 в 21:23.
Ответить 
Старый 27.07.2016 22:08   #13  
Аватар для Nestik
Оффлайн
ZOG
eminence grise
Сообщений: 2,258
+ 277  835/480
– 353  232/151

UzbekistanОтправить сообщение для Nestik с помощью ICQ
:faceplam:
Ответить 
Ответить
Опции темы
Опции просмотра




Powered by vBulletin® Version 3.8.5
Copyright ©2000 - 2024, Jelsoft Enterprises Ltd. Перевод: zCarot
Advertisement System V2.5 By Branden
OOO «Единый интегратор UZINFOCOM»


Новые 24 часа Кто на форуме Новички Поиск Кабинет Все прочитано Вверх